|
Nhà xuất bản Hội Vật lý Anh quốc (Institute of Physics) vừa công bố tự sự về cuộc đời nghiên cứu của chủ nhân giải Nobel Vật lý năm 2010 – Giáo sư Andre Geim (Đại học Manchester). Có rất nhiều điều thú vị được tiết lộ từ tự sự này. Bài viết này tổng hợp một số nét thú vị về sự nghiệp và cuộc sống của Geim.
Tìm hiểu về nhân vật Andre Geim cũng có nhiều điều thú vị và đáng học hỏi. Ví dụ như ông tốt nghiệp PhD năm 1987, sau 5 năm tại viện vật lý chất rắn của Nga, với kết quả là 5 bài báo. Nhưng cả 5 bài báo đó và thesis của ông đều không được ai cite cả, chỉ đồng tác giả trích dấn 2 lần. Theo tự truyện của Andre Geim, ông đến với vật lý chất rắn một cách “bất đắc dĩ”. Ban đầu ông mơ được đi học về vật lý thiên văn và vật lý hạt để khám phá về “những bí ẩn vĩ đại của vũ trụ”. Trong cuộc phỏng vấn chọn chuyên ngành học, ông nói rằng mình muốn được nghiên cứu về sao neutron, nhưng câu trả lời từ hội đồng lại là: Tốt, anh có thể học vật lý áp suất cao tại Viện của chúng tôi (Viện Vật lý Chất rắn Moscow). Sau thất bại về việc chọn đề tại và làm trong một lĩnh vực vật lý đã bão hòa, Andre Geim nhận thấy cần phải thảy đổi, tách rời khỏi giáo sư hướng dẫn, chuyển sang một lĩnh vực vật lý mới, liên quan đến màng kim loại và siêu dẫn. Thời gian hậu tiến sĩ của ông ở viện vi điện tử, cũng thuộc Nga và đại học Bath những năm đầu 90 có lẽ là bước ngoặc trong sự nghiệp của mình. Chính từ thất bại trong quá trình học PhD, ông nhận thấy cần phải thiết lập những thí nghiệm mới, thay vị quanh quẩn tìm những hiện tượng lạ dựa trên các thí nghiệm đã có sẵn. Thời gian sau tốt nghiệp tiến sĩ của ông cũng chả sáng sủa gì, ở độ tuổi 33 với chỉ số H-index bằng 1, nên ông chỉ tìm cơ hội postdoc ở những trung tâm vừa và nhỏ ngoài Nga. Tuy vậy việc đến nhiều trung tâm khác nhau như Nottingham, Copenhagen, Bath và trở lại Nottingham, đã giúp ông tiếp cận với nhiều nhánh khác nhau của vật lý, như nghiên cứu về hệ khí electron 2 chiều, hay các điểm quantum point, hiện tượng chui hầm lượng tử hay hiệu ứng Hall lượng tử. Đây cũng là giai đoạn ông được tiếp xúc với các kĩ thuật như molecular beam epitaxy, hay electron beam lithography.
|